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NXP Semiconductors
PESD5V0U4BF; PESD5V0U4BW
Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrays
1.4 Quick reference data
Table 2. Quick reference data
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RWM
reverse standoff voltage
-
-
5
V
C d
diode capacitance
f = 1 MHz; V R = 0 V
-
2.9
3.5
pF
2. Pinning information
Table 3.
Pinning
Pin
Description
Simpli?ed outline
Graphic symbol
PESD5V0U4BF
1
cathode (diode 1)
2
common cathode
1
2
3
1
6
3
cathode (diode 2)
4
5
cathode (diode 3)
common cathode
2
3
5
4
6
cathode (diode 4)
6 5
bottom view
4
006aab333
PESD5V0U4BW
1
cathode (diode 1)
2
common cathode
5
4
1
5
3
cathode (diode 2)
4
cathode (diode 3)
2
5
cathode (diode 4)
1
2
3
3
4
006aab334
3. Ordering information
Table 4.
Ordering information
Type number
Package
Name
Description
Version
PESD5V0U4BF
XSON6
plastic extremely thin small outline package; no leads; SOT886
6 terminals; body 1 × 1.45 × 0.5 mm
PESD5V0U4BF_PESD5V0U4BW_1
Product data sheet
PESD5V0U4BW
-
plastic surface-mounted package; 5 leads
Rev. 01 — 15 August 2008
SOT665
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
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